| 发明名称 | 半导体器件中制作金属阻挡层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在金属层间作为阻断Si原子扩散用的扩散阻挡层-TiNO金属阻挡层的制作方法。该方法包含以下步骤：使用Ar和N<SUB>2</SUB>气体，通过溅射设备制成-TiN膜；在TiN膜上部注入N<SUB>2</SUB>O气体；把所生成的膜层在N<SUB>2</SUB>气氛下退火，使氧离子扩散，从而形成均匀的TiNO膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1115116A | 申请公布日期 | 1996.01.17 |
| 申请号 | CN95109193.X | 申请日期 | 1995.07.07 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 张玹珍;李禹奉;文永和;全英昊;高在浣;具永谟;金世桢 |
| 分类号 | H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
| 主权项 | 1、一种制作TiNO金属阻挡层的方法，该金属阻挡层是在金属层间作为阻止Si原子扩散用的扩散阻挡层，所述方法包含以下步骤使用Ar和N2气体，通过一个溅射设备制作一TiN膜；在所述TiN膜上部注入N2O气体；以及把所生成的膜层在N2气氛下退火，使氧离子扩散，从而将所述所生成的膜层制成均匀的TiNO膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||