形成半导体器件金属互连的方法

摘要

一种形成半导体器件金属互连的方法，形成第一金属层和第一绝缘层，在第一绝缘层形成通孔，连接第一金属层与第二金属层，第二金属层是固定层，包括，第二绝缘层有一与第一金属层上的第一绝缘层相同的通孔；以第一金属层模型为蚀刻隔板覆盖第二绝缘层；把第一绝缘层和第一金属层用于蚀刻隔板作为蚀刻掩模；由一至三步，在结构上形成平面型第三绝缘层，暴露第二绝缘层；除去暴露的第二绝缘层；形成第二金属层。

主权项

1、一种形成半导体器件金属互连的方法，其形成第一金属层 和第一绝缘层，在第一绝缘层形成通孔，连接第一金属层与第二金 属层，第二金属层是固定层，其不同于第一金属层，其步骤包括： 第一步，第二绝缘层有一通孔，其大小与第一金属层上的第一 绝缘层的通孔相同； 第二步，以第一金属层模型为蚀刻隔板，覆盖第二绝缘层； 第三步，把第一绝缘层和第一金属层用于蚀刻隔板作蚀刻掩膜； 第四步，通过第一至第三步，在总体结构上形成平面型第三绝 缘层，使第二绝缘层暴露； 第五步，除去暴露的第二绝缘层； 第六步，形成第二金属层。