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发明名称 FORMATION METHOD OF CONTACT HOLE IN SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号 JPH088208(A) 申请公布日期 1996.01.12
申请号 JP19940325101 申请日期 1994.12.27
申请人 GENDAI DENSHI SANGYO KK 发明人 KIN SHIYUNKAN
分类号 H01L21/28;H01L21/318;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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