| 主权项 |
1. 一种淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,适用于第一型基板上,该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法包括下列步骤。(a) 形成一闸极叠层于该第一型基板的既定位置,再以该闸极叠层做罩幕,施以第二型杂质布値,于该闸极叠层两侧之该第一型基板内形成二第二型淡布植区;(b) 形成一第一绝缘层覆盖于表面,施以第二型杂质布植,形成第二型浓布植区于第一型基板内,并与该等第二型淡布植区之外缘相接;(c) 形成第二间隔物于该第一绝缘层的侧边,再以该第二间隔物做罩幕,施以等向蚀刻法蚀刻该第一绝缘层,至形成第一间隔物于该闸极叠层之侧边。2. 如申请专利范围第1项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,该闸极叠层由下而上包括一闸极介电层,一复晶矽层以及一金属矽化层。3. 如申请专利范围第2项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,步骤(a)形成该等第二型淡布植区之前,尚包括形成一氧化层于未被该闸极叠层覆盖之该第一型基板上,以避免后续布植杂质时所造成之隧穿和污染。4. 如申请专利范围第3项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,步骤(b)形成该等第二型浓布植区的方法,是利用位于该闸极叠层侧边之该第一绝缘层厚度较其余部份厚做为罩幕。5. 如申请专利范围第4项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中步骤(c)形成该第二间隔物的方法,是先沈积一第二绝缘层覆盖于表面,再以回蚀刻法蚀刻该第二绝缘层,至形成该第二间隔物于该第一绝缘层的侧边。6. 如申请专利范围第5项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,该第一绝缘层是以化学气相沈积法形成之氧化矽物。7. 如申请专利范围第6项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,该第二绝缘层是以化学气相沈积法形成之氮化矽物。8. 如申请专利范围第7项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,完成步骤(c)后,尚包括以热磷酸去除该第二间隔物。9. 如申请专利范围第8项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,该第一型是P型,该第二型是N型。10. 如申请专利范围第8项所述之该淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法,其中,该第一型是N型,该第二型是P型。图示简单说明:第1图系显示习知之淡掺植汲极结构之电晶体的制造方法流程剖面图。第2图系显示本发明之淡掺植汲极结构之电晶体的制造方 |
