| 主权项 |
1.一种下式(I)之化合物其中RC^1C为氢或卤基,且RC^2C 为CC_1-10C烷基、CC_2-4C烯基、CC_2-4C炔基,CC_3-6C 环烷基、CC_3-6C环烷基-CC_1-4C烷基,苯基-CC_1-4C 烷基;或其 。2.如申请专利范围第1项之化合物,其 中RC^2C为CC_1-4C 烷基CC_2-4C烯基、CC_2-4C炔基、CC_3-6C环烷基-CC_1- 4C烷基或苯基-CC_1-4C烷基。3.如申请专利范围第1项 之化合物,其中RC^2C为CC_3-10 C烷基、CC_3-4C烯基或CC_3-4C炔基。4.如申请专利范 围第1至3项中任一项之化合物,其中RC ^1C为氢。5.如申请专利范围第4项之化合物,其中,RC ^2C为CC_3- 8C烷基。6.一种用作为D-1受体拮抗剂之药学组成物 ,其含有如申 请专利范围第1至5项中任一项之化合物,或其药学 上可 接受性 ,并结合上其药学上可接受性稀释剂或载 体。7.如申请专利范围第1项之之化合物,或其药学 上可接受 性 ,系作为D-1受体拮抗剂。8.一种制备如申请专利 范围第1项之化合物之方法,其包 括将下式(II)化合物之10-位置的阴离子其中RC^1C如 申 请专利范围第1项定义,以如式RC^2CX之烷化剂予以 烷基 化,其中X为离去基,RC^2C如申请专利范围第1项定义, 且此反应系于硷存在下,惰性有机溶剂中,-70℃至+ 80 |
