Protection structure for integrated circuits

摘要

Die Erfindung betrifft eine Schutzstruktur für integrierte Schaltungen (IC) mit einem n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor mit einem stabileren Bipolarzustand, wobei der Übergang in den Bipolarzustand trotzdem schnell erfolgt. Unterhalb der Drain-Zone (2) und der Drain-Anschlußzone (4) ist eine n-dotierte Widerstandszone (10) mit einer schwächeren Dotierung als die Dotierung der Drain-Zone (2) und der Drain-Anschlußzone (4) derart ausgebildet, daß sie die elektrisch leitende Verbindung zwischen der Drain-Zone (2) und der Drain-Anschlußzone (4) bildet.