| 发明名称 | 隧道泵高速绝缘栅双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型属半导体器件领域。它公开了一种新型隧道泵高速绝缘栅双极晶体管(TIGBT)。由于它采用了含有隧道泵的硅片直接键合(SDB)材料替代了常规IGBT中异性高阻硅厚外延片作为衬底，衬底(10)的下部为P<SUP>+</SUP>高浓度硅单晶材料(9)，上部为N<SUP>-</SUP>低浓度硅单晶材料(6)，不仅使加工容易，大大降低了成本，更主要的是SDB衬底材料中的复合隧道结在器件关断时为非平衡载流子提供了快速释放通道，从而降低关断时间T<SUB>off</SUB>，提高了速度，关适于制作全耐压范围(数百伏到大于2000伏)的高速TIGBT。 | ||
| 申请公布号 | CN2217264Y | 申请公布日期 | 1996.01.10 |
| 申请号 | CN94236727.8 | 申请日期 | 1994.06.24 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 李肇基;张波 |
| 分类号 | H01L29/02;H01L29/66 | 主分类号 | H01L29/02 |
| 代理机构 | 电子科技大学专利事务所 | 代理人 | 严礼华 |
| 主权项 | 1、隧道泵高速绝缘栅双极晶体管(TIGBT)其特征在于采用了含有隧道泵的硅片直接键合(SDB)材料作为衬底(10)，衬底(10)的下部为P+高浓度硅单晶材料(9)，上部为N-低浓度硅单晶材料(6)，在上、下部之间有由多个高浓度的P+(7)/N+(8)/P+(7)相间区域组成的一个层，其中N+区(8)与四周的P+区(7)和下部的P+区(9)组成复合的隧道结；衬底(10)上部N-单晶面上制作有多个单元，每个单元上有栅极(3)和阴极(4)，将各单元内的栅极(3)和阴极(4)分别并联；衬底(10)下部P+单晶面上金属化后作阳极(5)构成的。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 | ||