| 发明名称 |
Process for the production of finely divided crystalline silicon nitride |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0511490(B1) |
申请公布日期 |
1996.01.10 |
| 申请号 |
EP19920105034 |
申请日期 |
1992.03.24 |
| 申请人 |
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
KRAUSE, WERNER, DR. |
| 分类号 |
C01B21/068;(IPC1-7):C01B21/068 |
主分类号 |
C01B21/068 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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