| 发明名称 |
LOW CONTACT RESISTANCE PROCESS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR960000360(B1) |
申请公布日期 |
1996.01.05 |
| 申请号 |
KR19910017719 |
申请日期 |
1991.10.10 |
| 申请人 |
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
HWANG STEPHEN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/8238;H01L23/52;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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