| 摘要 |
<p>Beschrieben wird ein Reaktor (1) zur Beschichtung von flächigen Substraten (2) und insbesondere von Wafern, mit einem Reaktionsgefäß (1), in das Reaktionsgase einleitbar sind, und einer Substrathaltereinheit (3), in der Substrate in einem Halter derart gehalten sind, daß die zu beschichtende Hauptoberfläche der Substrate während des Depositionsvorganges nach unten orientiert und im wesentlichen parallel zur Strömungsrichtung der Reaktionsgase ausgerichtet ist. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß auf der Substrathaltereinheit wenigstens zwei Plätze für Substrate vorgesehen sind und daß der oder die Halter in Art einer Schablone ausgebildet sind, die Öffnungen für die zu beschichtenden Oberflächen der Substrate aufweist.</p> |
