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发明名称 MOS-Typ-Halbleiterspeicheranordnung.
摘要
申请公布号 DE69019438(T2) 申请公布日期 1996.01.04
申请号 DE19906019438T 申请日期 1990.08.30
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 MATSUI, YOSHINORI, C/O NEC CORPORATION, TOKYO, JP
分类号 G11C11/407;G11C8/08;G11C11/417;H01L27/10;(IPC1-7):G11C8/00 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
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