| 发明名称 |
High power mosfet with low on-resistance and high breakdown voltage |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5191396(B1) |
申请公布日期 |
1995.12.26 |
| 申请号 |
US19890303818 |
申请日期 |
1989.01.30 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP |
发明人 |
LIDOW ALEXANDER;HERMAN THOMAS |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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