| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une mémoire statique comprenant des cellules mémoire (MC) disposées en rangées et colonnes, chaque rangée de cellules constituant au moins un mot et un code de contrôle d'erreur correspondant. Chaque colonne de cellules comprend au moins une ligne d'alimentation spécifique (Vcc', GND') reliée à une ligne d'alimentation générale (Vcc, GND) de la mémoire par l'intermédiaire d'un détecteur de courant (10, 12). Chaque détecteur active un signal d'erreur si le courant de la ligne d'alimentation spécifique associée dépasse un seuil prédéterminé.</p> |
