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<p>Il est possible d'accroître la concentration en accepteurs N dans la couche épitaxiale brute d'un composé semi-conducteur de type II-VI en utilisant comme support du dopant une butylamine tertiaire, l'accroissement étant renforcé par une croissance photo-assistée utilisant une lumière d'une longueur d'onde comprise entre 200 et 250 nm.</p> |
