| 发明名称 |
GROWTH METHOD FOR II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07326586(A) |
申请公布日期 |
1995.12.12 |
| 申请号 |
JP19940141237 |
申请日期 |
1994.05.31 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
IMANISHI DAISUKE;TODA ATSUSHI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/365;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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