用以制造液晶显示器薄膜电晶体闸极线路与闸极绝缘层之方法

摘要

本发明系利用铝／氧化铝蚀刻技术来制造液晶显示器薄膜电晶体之闸极线路与闸极绝缘层，其蚀刻技术可分为选择蚀刻与一般蚀刻，选择性蚀刻(即只蚀刻氧化铝，而不蚀刻铝)溶液为铬酸加磷酸且加热至25℃~100℃，其蚀刻率每分钟90~200A，另外一般蚀刻，其蚀刻溶液为磷酸、硝酸、醋、水，加热至25℃~100℃。本发明之特征在于不需用光阻来做氧化铝选择成长用的光罩，可以避免氧化铝之污染而防止氧化铝特性变差，亦可避免因使用光阻当光罩而使铝离子溶出之问题，且在本发明中，不需单独将铝膜图变化(pattern)，而是在铝膜形成氧化铝膜时才加以图样化，所以不需加百分之一的矽来防止凸起的产生。闸极线路的阻值可降低以增进液晶显示幕的面积。

主权项

1. 一种用以制造液晶显示器薄膜电晶体闸极线路与闸极绝缘层之方法,其特征包含以下诸步骤:在一绝缘基皮上形成一铝膜;将该铝膜浸在一氧化液中,利用氧极氧化将该铝膜的一定厚度氧化形成氧化铝膜;及利用铝和氧化铝的蚀刻技术或选择性蚀刻技术将该铝膜及氧化铝膜一起图样化而形成闸极绝缘层和闸极线路。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该选择性蚀刻技术是利用铬酸加入磷酸在25℃-100℃的温度下选择性蚀刻氧化铝,其蚀刻氧化铝的速率每分钟90-200@fc(1.frch)83. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻技术乃利用磷酸、硝酸、醋酸、水在25℃-100℃加热,对铝及氧化铝同时做蚀刻。4. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该铝膜为纯铝。图示简单说明:图1(a)及(b)及在闸电极上使用铬,在闸绝缘层上使用氮化矽,而在闸极线路上使用铬和铝所构成的两层金属示意图;图2乃纯铝与在纯铝中加入百分之一矽二者于成长氧化铝时之氧化电流与时间的关系图;图3乃H@ss2O%(氧化液的组成为己二醇、纯水、酒石酸、氨水)对氧化铝之漏电流与破坏电场之影响图式;图4乃氧化液的pH値对氧化铝破坏电场之影响图式;图5乃氧化铝的破坏电场和漏电流密度对热处理温度之关系图;图6乃氧化铝/氮化矽双闸极绝缘层非晶薄电晶体之电流电压特性图;图7(a)乃本发明之薄膜电晶体制作流程剖面图;及