发明名称 模拟真空管失真之多级固态放大器
摘要 一多级固态放大器,可透过各串联连接的放大级间的箝位装置来模拟多级真空管放大器中伴随栅极电流而产生的失真。在一特别的实施例中,各放大级包括一场效应晶体管(FET),而箝位装置为一二极体。在另一实施例中,各放大级包括一达灵顿连接的成对电晶体。一输入二极体与多段偏压电路模拟一真空管电路之输入。
申请公布号 TW265487 申请公布日期 1995.12.11
申请号 TW083111420 申请日期 1994.12.08
申请人 皮伟电子公司 发明人 杰克C.桑得迈尔;杰母士W.布朗
分类号 H03F3/68 主分类号 H03F3/68
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1. 一种用以模拟有关于一过载多级真空管放大器在高输入讯号位准时,因电流流入栅极导致所希望的输入箝位特性之失真的固态放大器,包括:多数串联连接之固态装置,各别包括一输入电路与一具有输出讯号能力之输出电路,各下游的放大级之输入电路与一上游放大级之输出电路耦合;以及箝位机构,为位在各放大级间之输入电路中,供在各放大级间建立一箝位电平、供在此固态放大器中复制出真空管放大器所希望的输入箝位特性,其中该各放大级间的输出信号能力与输入箝位电平的比率为足以产生适当的第二谐波失真。2. 如申请专利围第1项所述之放大器,其中各固态装置包括一场效应电晶体。3. 如申请专利范围第1项所述之放大器,其中各固态装置包括一电晶体。4. 如申请专利范围第1项所述之放大器,其中各固态装置包括一达灵顿电晶体。5. 如申请专利范围第4 项所述之放大器,其中该达灵顿电晶体为整合式。6. 如申请专利范围第4项所述之放大器,其中该达灵顿电晶体包括分立元件。7. 如申请专利范围第6项所述之放大器,其中该达灵顿电晶体包括一基/射极电路与一耦合在基/射极电路与接地端之间的偏压电阻。8. 如申请专利范围第1项所述之放大器,其中箝位机构包括一二极体。9. 如申请专利范围第8项所述之放大器,其中该输出信号能力可使位在下一放大器放大级之输入电路中二极体呈顺向偏压。10. 如申请专利范围第8项所述之放大器,其中该二极体产生箝位约在0.5伏的顺向电压。11. 如申请专利范围第1项所述之放大器,其中该比率至少约30左右。12. 如申请专利范围第1项所述之放大器,更包括至少在其一输入电路之可变输入机构,以改变失真。13.如申请专利范围第12项所述之放大器,其中该可变输入机构包括一耦合在第一放大级输出电路中的电位器,该电位器具有一滑动端与第一放大级及箝位机构耦合。14. 如申请专利范围第1项所述之放大器,更包括可变输出机构耦合在最未放大级之输出电路中,以改变放大器总输出电平。15. 如申请专利范围第14项所述之放大器,其中该可变输出机构包括一电位器。16. 如申请专利范围第1项所述之放大器,更包括供该固态装置使用之偏压机构。17. 如申请专利范围第16项所述之放大器,更包括有多段偏压装置,包括一供其一固态装置之一第一上游使用之上游偏压机构及一供下游装置使用的下游偏压机构。18. 如申请专利范围第17项所述之放大器,其中该上游偏压机构包括一基极电路偏压装置耦合至上游固态装置之一基极元件。19. 如申请专利范围第1项所述之放大器,更包括有输入二极体机构,耦合在第一上游放大级及一参考点之间。20. 如申请专利范围第19项所述之放大器,更包括有供二极体使用之上游偏压机构。21. 如申请专利范围第1项所述之放大器,更包括有一用以建立一二极体电路偏压电平之二极体电路偏压机构、一用以建立一基极电路偏压电平之基极电路偏压机构及一用以建立一下游偏压电平之下游偏压装置,其中该二极体偏压电平高于该基极电路偏压电平,而此基极电路偏压电平为高于该下游偏压电平。22. 如申请专利范围第1项所述之放大器,更包括在高频率电平处用以增强高频响应之机构与各放大级耦合图示简单说明:图1是一种产生所希望之失真输出的已知真空管放大器的示意图。图2是本发明的多级固态于大器的示意图,其使用FET装置以模拟已知真空管放大器产生的失真与音色。图3是本发明的多级固态放大器的一特别实施例的示意图。图4是本发明类似图2配置的另一实施例示意图,其中各FET装置以达灵顿连接的成对电晶体和一具多重偏压级及
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