| 主权项 |
1. 一种连接至半导体记忆器之感测放大器电路,包 含 (a) 资料节点装置,供接收来自一选择的核心记忆 单元指 示其记忆状态之电流; (b) 感测节点装置,供接收电流,而此电流为来自该 资料 节点装置反射被该资料节点装置所接收的电流; (c) 参考节点装置,供接收来自一选择的参考单指 示该单 元的状态之参考电流; (d) 一参考电流镜电路,包括第一及第二参考电晶 体,各 参考电晶体具有个别的基极、汲极及源极节点,各 该参考 电晶体之源极节点被连接至一选择的供电电压,该 第一及 第二参考电晶体之闸极节点被互相电连接,该第一 参考电 晶体之汲极节点被连接至该感测节点装置,该第二 参考电 晶体之汲极节点被连接至其闸极节点且被供应电 流,而此 电流来自该参考节点装置反射被该参考节点装置 所接收的 电流,该参考电流镜电路有效地供该感测节点装置 一参考 电流,其为正比于自该参考节点装置供应至该第二 参考电 晶体之电流; (e) 通道电晶体装置,供限制该资料节点装置上之 电压, 该通道电晶体装置具有一源极及汲极,该汲极被连 接至该 感测节点装置,该源极被连接至该资料节点装置; 及 (f) 一润滑电流镜电路,包括第一及第一润滑电晶 体,各 该润滑电晶体具有个别的闸极、汲极及源极节点, 各该润 滑电晶体之源极节点被连接至一共同节点,该第一 及第二 润滑电晶体之闸极节点被互相电连接,该第一润滑 电晶体 之汲极节点被连接至该资料节点装置且被供应来 自该资料 节点装置之电流,该第一润滑电晶体之汲极节点被 连接至 其闸极节点及该资料节点装置,该润滑电流镜电路 可有效 地以正比于自该资料节点装置至该第一润滑电晶 体的润滑 电流而供应电流给参考节点装置及该参考电滑镜 电路而供 应电流给该参考节点装置及该参考电流镜电路,该 润滑电 流镜电路则可有效地供应一预定量之电流至该通 道电晶体 装置,藉以使该通道电晶体装置保持开路,即使没 有流自 一核心记忆单元之电流亦然。2. 如申请专利范围 第1项之感测放大器电路,其中该第一 及第二参考电晶体及该第一及第二润滑电晶体为 金属氧化 物半导体(mos)电晶体。3. 如申请专利范围第2项之 感测放大器电路,其中各该第 一及第二电晶体系被连接于一共同节点。4. 如申 请专利范围第2项之感测放大器电路,其中各该第 一及第二电晶体系被连接于其个别的闸极。5. 如 申请专利范围第2项之感测放大器电路,其中各该 第 一及第二电晶体具有互相相对之不同大小的通道 。6. 如申请专利范围第1项之感测放大器电路,其 中该感测 节点装置包括一输出放大反相器。7. 如申请专利 范围第1项之感测放大器电路,其中该感测 节点包括一缓冲电路供减少被该感测节点装置所 见之电容 。8. 如申请专利范围第7项之感测放大器电路,其 中该缓冲 电路包括第一及第二电晶体分支被该感测节点装 置个别地 驱动。9. 如申请专利范围第8项之感测放大器电路 ,其中该第一 及第二电晶体分支系被连接至一电流源。10. 如申 请专利范围第8项之感测放大器电路,其中该第 一及第二电晶体分支完全地包含nMOS电晶体。11. 如申请专利管围第1项之感测放大器电路,其更包 含 定位置供减少摆动于该感测节点装置之电压。12. 如申请专利范围第11项之感测放大器电路,其中该 定 位装置包含一电流镜装置供于完成一低至高转变 后将一反 偏电流供应至感测节点。13. 一种提供一选择的半 导体记忆单元之记忆状态之感测 指示至一连接于第一电流镜电路之感测节点以自 一参考单 元供应电流至一感测节点之方法,感测节点更被连 接至一 通道电晶体以分开其及选择的记忆单元,通道电晶 体之其 他侧被连接至记忆单元,该方法包含下列步骤: (a) 连接第二电流镜电路至选择的记忆单元侧上之 通道电 晶体之侧;及 (b) 连接第二电流镜电路之其他侧以修改从参考单 元供应 至第一电流镜电路之电流, 藉以供应一润滑电流至第一电流镜装置,且有效地 供应电 流至通道电晶体以确使其于没有流自一核心记忆 单元之电 流时不会关掉。14. 一种半导体记忆装置,包括储 存资讯之记忆装置,该 记忆装置包括: (a) 复数组之行各包含一预定复数个核心记忆单元 , (b) 一相对应的复数个参考行,各参考行与对应的 该组之 行之一结合,各参考行包含一预定对应的复数个参 考记忆 单元,及 (c) 一相对应的复数个感测放大器装置,用以可选 择地产 生该核心记忆单元之记忆内容之输出信号指示,各 该相对 应复数个感测放大器装置于其输出设有一连接供 与对应的 该复数个之行之一者及对应的该参考行之一者中 之选择的 记忆行之一者电通信,藉以使该复数个参考行被分 布及散 置于该组之行之中。图示简单说明: 图1是用以说明依据本发明之增进核心装置之记忆 平面图 ,其包括分布于核心内之散布参考行; 图2是依据本发明之电路装置,其藉〝润滑〞连接 资料滙 流排至感测节点之通道电晶体及藉经过利用一低 输入电容 /高输出驱动级以自第一反相器缓冲该感测节点而 有效地 增进感测放大器性能;及 |
