发明名称 Herstellungsverfahren eines Bipolartransistors, der umgekehrten Vorspannungen standhält.
摘要
申请公布号 DE69111912(T2) 申请公布日期 1995.12.07
申请号 DE19916011912T 申请日期 1991.06.07
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A., GENTILLY, FR 发明人 JIMENEZ, JEAN, F-38500 VOIRON, FR
分类号 H01L27/06;H01L21/331;H01L21/8222;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L29/08;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/08 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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