有选择地形成半导体区域的方法

摘要

一种有选择地形成半导体区域(28)的方法，将已刻出图形的、具有暴露的半导体材料区(26，27)和氧化区(24)的衬底(21)在实质上不含卤素的气氛中经受第一温度和一种半导体气体源和氢气的处理，在该暴露的半导体材料区和氧化区上形成覆盖的半导体层(28，29)。将已刻出图形的衬底在氢气气氛中经受高于第一温度的第二温度的处理，有选择地除去氧化区上形成的多晶半导体材料(29)，留下暴露的半导体材料区上的那部分覆盖的半导体层(28)。

主权项

1、一种有选择地形成半导体区域的方法，其特征在于包括以下步骤：把一个衬底(21，34)放入一个CVD反应器(3)内，该衬底(21，34)的特征是有一个具有一种暴露的半导体材料(26，27，43，49)的第一区域和一个具有一个暴露的氧化层(24，51，53，59)的第二区域；将该衬底(21，34)在实质上不含卤素和水分的气氛内于第一温度下经受一种半导体气体源和氢气的处理，从而在该暴露的半导体材料区(26，27，43，49)和该暴露的氧化层(24，51，53，59)上形成一个覆盖的半导体层，其中在该暴露的氧化层(24，51，53，59)上的该覆盖的半导体层包括多晶态半导体材料(29，56，66)；以及使该衬底(21，34)经受高于该第一温度的第二温度和氢气的处理，从而有选择地除去在该暴露的氧化层(24，51，53，59)上的多晶态半导体材料(29，56，66)，同时留下在该暴露的半导体材料(26，27，43，49)上形成的该覆盖的半导体层的一个保留部分(28，53，55，64)。