| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif à laser à semiconducteurs dont la longueur d'onde est accordable. <BR/> Selon l'invention, il comprend un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de conductivité, une couche active (6) en semi-conducteur au-dessus du substrat (1) qui produit de la lumière en réponse à un courant injecté, une couche d'accord (8) en semi-conducteur au-dessus du substrat (1) dont l'indice de réfraction (100) change en réponse au champ électrique une couche d'espacement (7) en un semiconducteur d'un second type de conductivité, interposée entre la couche (6) et la couche (8), des facettes opposées avant et arrière de résonateur aux deux extrémités des couches (6) et (8) et ayant des réflectivités différentes, une électrode côté première conductivité pour fournir un champ électrique à la couche (8), une électrode côté première conductivité (10) pour injecter du courant dans la couche (6) et une électrode (11) côté seconde conductivité commune aux électrodes d'application du champ et d'injection de courant, électriquement connectée à la couche (7). <BR/> L'invention s'applique notamment aux lasers.</P> |
