Thermal sensor/actuator realised in semiconductor material.

摘要

Halbleiterbauelement mit monolithisch integrierten elektronischen Schaltungen und monolithisch integriertem Sensor/Aktuator, bei dem der Sensor/Aktuator mit Methoden des Surface-Micromachining hergestellt ist in einer z. B. mit Sensorstegen (6) strukturierten Sensorschicht (3) aus Polysilizium und diese Sensorstege (6) von einem Siliziumsubstrat (1) durch einen in einer Opferschicht (2) hergestellten und mit einer Verschlußschicht (5) nach außen gasdicht verschlossenen Hohlraum (4) thermisch isoliert sind.