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发明名称 Hochintegriertes Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要
申请公布号 DE4034995(C2) 申请公布日期 1995.11.23
申请号 DE19904034995 申请日期 1990.11.03
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR 发明人 KIM, SEONG-TAE, SEOUL/SOUL, KR;KIM, KYUNG-HUN, SEOUL/SOUL, KR;KO, JAE-HONG, SEOUL/SOUL, KR;CHOI, SU-HAN, SEOUL/SOUL, KR
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
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