制造光电池的方法和设备

摘要

本发明用来制造高效和低损耗的光电池，本发明也用连续地卷装进出法在大面积无不均匀现象高速均匀地加工这种光电池。用RF等离子CVD法形成i-型半导体层的顶部电池，用微波等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。用等离子掺杂形成在入射光侧的掺杂层的顶部电池，用RF等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。本发明的任务通过分别与二层或三层串联型光电池的各层相应地设置膜形成室用连续地卷装进出法连续形成半导体叠层来完成。

主权项

1、一种有叠层结构的光电池，它包括：由硅基非晶半导体构成并有第一导电类型的第一半导体层；其主要部分是用微波等离子CVD法形成的第一i-型半导体层；有与第一导电类型相反的导电类型的第二半导体层；有第一导电类型的第三半导体层；用RF等离子CVD法形成的第二i-型半导体层；有与第一导电类型相反的导电类型的第四半导体层；其特征在于：所说的第二半导体层用RF等离子CVD法形成，所说的第四半导体层用等离子掺杂形成。