| 主权项 |
1.一种作为强介电性液晶组成物掺混剂之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中R@ss1为选自包括具有2个至10个碳原子之直链烷基;R@ss2为选自包括具有2个至8个碳原子之直链烷基;A为或 基团;m为1或2之整数;n为1或2之整数;p,q为0或1,且p为0时q为0,p为1时q为1;*为S或R之立体结构;**为S或R之立体结构。2.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其中R@ss1为选自包括具有2至6个碳原子之直链烷基。3.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其中R@ss2为选自包括具有2至6个碳原子之直链烷基。4.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。5.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。6.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。7.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。8.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。9.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。10.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。11.如申请专利范围第1项之光活性液晶材料,其为由下式所代表:其中*及**分别代表S或R之立体结构。12.一种强介电性液晶组成物,该组成物包括一重量百分比为99至70之含层列C相或光活性层列C相之液晶混合物及一重量百分比为1至30之作为掺混剂之光活性液晶材料,该光活性液晶材料为由下式所代表:其中R@ss1为选自包括具有2个至10个碳原子之直链烷基;R@ss2为选自包括具有2个至8个碳原子之直链烷基;A为或 基团;m为1或2之整数;n为1或2之整数;p,q为0或1,且p为0时q为0,p为1时q为1;*为S或R之 |
