| 主权项 |
1.一种清洁半导体基板用酸性或硷性过氧化氢清 洁液组成 物,其具有60dyne/cm或更小之表面张力或其与基板表 面 的接触角为50@bs3或更小;其包括: (a)0.1-30重量%之过氧化氢, (b)0.1-10重量%之选自氨、氢氧化羟基三甲铵、及氢 氧化 四甲基铵之硷,或选自氢氯酸、硫酸、氢氟酸及其 混合物 之无机酸, (c)选自磺酸界面活性剂、多元醇界面活性剂、及 聚羧酸 之湿润剂,其可改善在基板表面之湿润性,其之存 在量为 占清洁液之1至15000ppm, (d)膦酸钳合剂,其之存在量为占清洁液之1ppb至1, 000ppm,以及 (e)平衡量之超纯水。2.一种清洁半导体基板用酸 性或硷性过氧化氢清洁液组成 物,其具有60dyne/cm或更小之表面张力或其与基板表 面 的接触角为50@bs3或更小;其包括: (a)0.1-30重量%之过氧化氢, (b)0.1-10重量%之选自氨、氢氧化羟基三甲铵、及氢 氧化 四甲基铵之硷,或选自氢氯酸、硫酸、氢氟酸及其 混合物 之无机酸, (c)选自以通式(I)表示之多元醇或其氧化物的湿润 剂: @ps9HOCH@ss2-(CHOH)n-CH@ss2 OH(n=0-10) (I)@ps9,9.5 ,5 其可改善清洁剂在基板表面之湿润性,其之存在量 为占清 洁液之0.1至15000ppm,以及 (e)平衡量之超纯水。3.如申请专利范围第2项之组 成物,其中该清洁液具有(d) 膦酸钳合剂,其之存在量为占清洁液之1ppb至1,000ppm 。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中该磺酸界 面活性 剂为烷基苯磺酸。5.如申请专利范围第1项之组成 物,其中该聚羧酸为聚丙 烯酸。6.如申请专利范围第1项之组成物,其中该多 元醇为2-乙 基-1,3-己二醇。7.如申请专利范围第2项之组成物, 其中该湿润剂为选自 乙二醇,山梨糖醇或羟乙酸。8.如申请专利范围第1 项之组成物,其中该膦酸钳合剂为 选自丙二胺四(亚甲膦酸),乙二胺四(亚甲膦酸),及 二伸 乙三胺五(亚甲膦酸)之一种。9.如申请专利范围第 2项之组成物,其中以通式(I)表示的 |
