| 主权项 |
1.一种供制作光学记录介质之液晶/侧链液晶聚合 物组成 物,该组成物系包含 414.45%-85%重量百分率之向列型联苯酯类液晶及 415.15%-55%重量百分率之侧链液晶聚甲基矽氧烷液 晶聚 合物其分子量介于4,000-10,000之间,其中该聚甲基矽 氧烷液晶聚合物之液晶基系选自包括含联苯之衍 生物,及 末端具有烷基碳链之碳数为6-11之含非对称性未端 基之 联苯基衍生物之取代官能基。2.如申请专利范围 第1项之组成物,其中该聚甲基矽氧烷 液晶聚合物之玻璃转移温度介于-10℃-50℃之间;且 温 度介于30℃-140℃之间呈现液晶特性。3.如申请专 利范围第1项或第2项之组成物,其中该聚甲基 矽氧烷液晶聚合物所呈现之液晶相为向列型液晶 相及层列 型液晶相。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中 该聚甲基矽氧烷 液晶聚合物于该复合材料中之含量系介于25%-45%之 重量 百分率。5.如申请专利范围第1项之组成物,其中该 聚甲基矽氧烷 液晶聚合物于该复合材料中之含量为40%重量百分 率。6.如申请专利范围第1项之组成物,其中该联向 列型联苯 酯类液晶在温度介于50℃-90℃范围内呈现向列型 液晶相 及/或层列型液晶相。7.如申请专利范围第1项之组 成物,其中该向列型联苯酯 类液晶在温度为介于60℃-75℃范围内呈现向列型 液晶相 及/或层列型液晶相。8.如申请专利范围第1项之组 成物,其中该向列型联苯酯 类液晶该复合材料中之含量,系介于55%-75%重量百 分率 。9.如申请专利范围第1项之组成物,其中该向列型 联苯酯 类液晶于该复合材料中之含量为60%重量百分率。 10.如申请专利范围第1项之组成物,可供制成可擦 拭、读 写光学信号之光学记录介质。11.一种擦拭、读写 光学信号之光学记录方法,其系包括 利用雷射光将光学信号写入如申请专利范围第1项 之液晶 /侧链液晶聚合物组成聚甲基矽氧烷液晶聚合物所 制成之 薄膜介质中予以储存,且利用外加电场自该介质将 已储存 之光学信号予以拭除。12.如申请专利范围第12项 之方法,其中该雷射光束系含 有输出功率为5mwW/J之氩雷射。13.如申请专利范围 第12项之方法,其中该雷射光束之稳 频范围系介于470nm-530nm之间。14.如申请专利范围 第12项之方法,其中该外加电场所施 加之电压系介于50-200伏特之频率介于5-60Hz之间之 交 流电场。15.如申请专利范围第12项之方法,其中该 聚矽氧烷液晶 聚合物薄膜介质之厚度为介于6微米至12.5微米之 间。16.如申请专利范围第12项之方法,其中该复合 材料在温 度范围介于20-125℃内呈现层列型液晶相。图示简 单说明: 图非对称性烷基碳链末端基结构之联苯基衍生 物。 图侧链液晶聚甲基矽氧烷液晶聚合物。 图液晶聚合物自发偶极性(PS)之Pg测试系统方块 图。 图复合膜之偏光显微镜图温度125℃400倍。 图复合膜之偏光显微镜图温度110℃600倍。 |
