| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE ELECTRODE EN METAL REFRACTAIRE SUR UN SUBSTRAT SEMI-ISOLANT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2643192(B1) |
申请公布日期 |
1995.11.17 |
| 申请号 |
FR19890011222 |
申请日期 |
1989.08.24 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KK |
发明人 |
YASUTAKA KOHNO;MASAYUKI SAKAI |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/316;H01L21/338;H01L21/768;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/285;H01L29/58 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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