| 发明名称 | 半导体器件制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明金属腐蚀工艺消除了使用有机掩模层溶剂的必要性并在等离子金属腐蚀步骤之后用腐蚀液对部分隔离层(68、81)进行腐蚀。此腐蚀液可包括乙二醇、氢氟酸和氟化铵。腐蚀液对隔离层(68、81)的腐蚀范围为100—900。腐蚀至少消除掉隔离层(68、81)中游离离子的75％，而且应能清除游离离子的至少95％。此工艺可采用酸罩、酸相容喷淋器或潭状处理器来完成。一种类似的工艺可以用于抗蚀剂回蚀工艺顺序。 | ||
| 申请公布号 | CN1111821A | 申请公布日期 | 1995.11.15 |
| 申请号 | CN95103566.5 | 申请日期 | 1995.03.25 |
| 申请人 | 莫托罗拉公司 | 发明人 | 卡尔·E·莫茨;杰弗里·G·卡登海德;托马斯·M·艾伦;亚当·H·史蒂文斯 |
| 分类号 | H01L21/74 | 主分类号 | H01L21/74 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1、一种制作半导体器件的工艺，其特征在于下列步骤：在半导体衬底(20)上制作一个第一隔离层(28，71)；在第一隔离层(28、71)上沉积一个含金属层(41)；在含金属层上制作一个图形化的有机掩模层(421、422)，从而形成含金属层(41)的暴露部分；用含卤化物的等离子腐蚀剂腐蚀含金属层(41)的暴露部分以形成互连元件(411、412、75)；用等离子气体而不用有机掩模层溶剂清除图形化的有机掩模层(421、422)；用含氟化物的溶液腐蚀一部分第一隔离层(28、71)，在此步骤中：至少腐蚀掉100<img file="951035665_IMG3.GIF" wi="30" he="50" />第一隔离层(68、81)；且该步骤在腐蚀暴露部分步骤之后和互连元件(411、412、75)上制作任何层之前进行；以及在互连元件上制作一个第二隔离层(71、82)。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||