发明名称 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME.
摘要
申请公布号 EP0419663(B1) 申请公布日期 1995.11.15
申请号 EP19890910179 申请日期 1989.09.14
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;TOSHIBA MICRO-ELECTRONICS CORPORATION 发明人 ASANO, MASAMICHI;IWAHASHI, HIROSHI 63-10, SHIKIMIDAI;KIRISAWA, RYOUHEI ISOGO-DAI-6-RYO;NAKAYAMA, RYOZO ISOGO-MARUYAMADAI-HEIGHTS 4-404;INOUE, SATOSHI SANO-SO 2F;SHIROTA, RIICHIRO TOSHIBA-FURUKAWA APARTMENT 242;ENDOH TETSURO 6-13-31-106, KIKUNA;MASUOKA, FUJIO 1-14-6, TAKEYAMA
分类号 G11C16/04;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/82 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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