Manufacturing method of a multilayer gate electrode containing doped polysilicon and metal-silicide for a MOS-transistor.,申请号EP19910107433-传众专利搜索

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发明名称	Manufacturing method of a multilayer gate electrode containing doped polysilicon and metal-silicide for a MOS-transistor.
摘要
申请公布号	EP0463332(B1)	申请公布日期	1995.11.15
申请号	EP19910107433	申请日期	1991.05.07
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	SCHWALKE, UDO, DR.;JOSWIG, HELLMUT, DR.
分类号	H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/49	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
主权项
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