| 发明名称 | 蓝-绿激光二极管的制造方法 | ||
| 摘要 | 用于产生对P型II—VI半导体本体欧姆接触的方法，包括：在分子束外延仓内放入P型II—VI半导体本体；向仓内溅射至少一个II族源；向仓内溅射至少一个VII族源Xm，m＜6；向仓内测射至少一种自由基，作为P型掺杂剂；将半导体本体加热到小于250℃，但高到足以促进掺自由基P型杂质到净受主浓度至少为1×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>的II—VI半导体层的晶体生长；以及在半导体本体上生长掺自由基P型杂质到净受主至少为1×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>的晶体II—VI欧姆接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN1111840A | 申请公布日期 | 1995.11.15 |
| 申请号 | CN95102220.2 | 申请日期 | 1992.05.15 |
| 申请人 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 发明人 | 迈克尔·A·海斯;郑骅;詹姆斯·M·迪鲁特;邱钧 |
| 分类号 | H01S3/025 | 主分类号 | H01S3/025 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨国旭 |
| 主权项 | 1、用于产生对P型Ⅱ-Ⅵ半导体本体欧姆接触的方法，包括：在分子束外延仓内放入P型Ⅱ-Ⅵ半导体本体；向仓内溅射至少一个Ⅱ族源；向仓内溅射至少一个Ⅵ族源Xm，m＜6；向仓内溅射至少一种自由基，作为P型掺杂剂；将半导体本体加热到小于250℃但高到足以促进掺自由基P型杂质到净受主浓度至少为1×1017cm-3的Ⅱ-Ⅵ半导体层的晶体生长；以及在半导体本体上生长掺自由基P型杂质到净受主浓度至少为1×1017cm-3的晶体Ⅱ-Ⅵ欧姆接触层。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||