| 发明名称 |
GAAS SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07302740(A) |
申请公布日期 |
1995.11.14 |
| 申请号 |
JP19940113648 |
申请日期 |
1994.04.28 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC IND LTD;SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD |
发明人 |
OIDA KAZUHIKO;KAWASAKI MAKOTO;YAMADA MASAHITO |
| 分类号 |
H01L21/208;H01L21/02;(IPC1-7):H01L21/02 |
主分类号 |
H01L21/208 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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