| 发明名称 |
ELEVATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND ITS PREPARATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07302805(A) |
申请公布日期 |
1995.11.14 |
| 申请号 |
JP19950124516 |
申请日期 |
1995.04.26 |
| 申请人 |
MOTOROLA INC |
发明人 |
JIEIMUZU JII GIRUBAATO;ROORENSU ESU KINGUBEIRU JIYUNIA;DEIBUITSUDO JIEI HARUCHIN;JIYON EMU GORIO |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/338 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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