| 摘要 |
De uitvinding heeft betrekking op een schakelelement voorzien van twee elektrodes (1,2) in de vorm van praktisch evenwijdige platen met daartussen een halfgeleidend diëlektricum (3), waarbij een elektrode (2) een materiaal omvat, dat met het halfgeleidende diëlektricum (3) een Schottky contact vormt, waarbij in bedrijf een ruimteladingsgebied (3') van het Schottky contact een tunnelbarrière voor elektronen vormt. In veel toepassingen is het gewenst dat het schakelelement een bepaalde schakeltoestand als open/dicht gedurende lange tijd vasthoudt. Het schakelelement kan dan bijvoorbeeld als geheugenelement gebruikt worden. Volgens de uitvinding heeft het schakelelement als kenmerk, dat het diëlektricum (3) een ferroëlektrisch materiaal omvat met een remanente polarisatie, die een grootte van de tunnelbarrière beïnvloedt. Hierdoor is bereikt, dat het schakelelement afhankelijk van de remanente polarisatie van het diëlektricum (3) verschillende schakeltoestanden heeft. Deze schakeltoestanden worden vastgehouden totdat de polarisatie van het diëlektricum (3) verandert.
|
