| 发明名称 |
METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07302762(A) |
申请公布日期 |
1995.11.14 |
| 申请号 |
JP19940096097 |
申请日期 |
1994.05.10 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
UEDA KAZUHIRO;MIYAUCHI AKIHIRO |
| 分类号 |
C30B25/14;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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