Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Monosiliziumgebieten und Polysiliziumleiterbahnen, die mit einer Metallsiliziddeckschicht versehen sind.
摘要
申请公布号
DE69022836(D1)
申请公布日期
1995.11.09
申请号
DE1990622836
申请日期
1990.12.18
申请人
PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL
发明人
JONKERS, ALEXANDER GIJSBERTUS MATHIAS, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL;SEAMS, CHRISTOPHER ALAN, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL;GODON, HARALD, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL;STOLMEIJER, ANDRE, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL
