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发明名称 Herstellungsverfahren für MOSFETs mit LDD
摘要
申请公布号 DE4415568(A1) 申请公布日期 1995.11.09
申请号 DE19944415568 申请日期 1994.05.03
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 KERBER, MARTIN, DR., 81827 MUENCHEN, DE
分类号 H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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