Vorrichtung zur Herstellung von supraleitenden Oxydschichten durch MOCVD-Verfahren.,申请号DE1992602801T-传众专利搜索

发明名称	Vorrichtung zur Herstellung von supraleitenden Oxydschichten durch MOCVD-Verfahren.
摘要
申请公布号	DE69202801(T2)	申请公布日期	1995.11.09
申请号	DE1992602801T	申请日期	1992.03.25
申请人	HITACHI, LTD., TOKIO/TOKYO, JP;NGK SPARK PLUG CO., LTD., NAGOYA, AICHI, JP;INTERNATIONAL SUPERCONDUCTIVITY TECHNOLOGY CENTER, TOKIO/TOKYO, JP	发明人	HIGASHIYAMA, KAZUTOSHI, HITACHI-SHI, JP;USHIDA, TAKAHISA, MEITO-KU, NAGOYA-SHI, JP;HIRABAYASHI, IZUMI, MEITO-KU, NAGOYA-SHI, JP;TANAKA, SHOJI, SHINJUKU-KU, TOKYO, JP
分类号	C23C16/30;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/52;C30B25/14;(IPC1-7):C23C16/52;H01L39/24	主分类号	C23C16/30
代理机构		代理人
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