发明名称 萤光体
摘要 于以一般式Ln2O3:R或Ln2O2S:R表示的萤光体内添加金属氧化物或高导热系数物质,形成透明保护膜而成的萤光体。Ln可为Y,Gd,La之一者;R可为Eu,Tb,Sm,Tm之一者。于萤光体内所添加金属氧化物或高导热系数物质,可为较萤光体粒径为小的微粒子。萤光体粒子之表面为金属氧化物而成的透明保护膜所被覆,所得的电子线激励萤光体之耐水性或耐湿性优越,用作萤光体系安定的,可以低速电子冲击而得极其安定的激励发光,初期辉度高,点灯指定时间后之辉度残存率亦高。
申请公布号 TW261631 申请公布日期 1995.11.01
申请号 TW083106573 申请日期 1994.07.19
申请人 双叶电子工业股份有限公司 发明人 土岐均;佐藤义孝;鹿川能孝
分类号 C09K11/00;C09K11/08 主分类号 C09K11/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种萤光体,其特征在于以一般式Ln@ss2O@ss3:R或Ln @ss2O@ss2S:R所表示的萤光体内添加金属氧化物或高 导 热系数物质而成者,其中Ln系选自Y, Gd, La之中之一 种 物质,R系选自Eu, Tb, Sm, Tm之中之一种物质。2.一种 萤光体,其特征在于以一般式Ln@ss2O@ss3:R或Ln @ss2O@ss2S:R所表示的萤光体内添加高导热系数物质 之 微粒子而成者。3.一种萤光体,系由于以一般式Ln@ ss2O@ss3:R或Ln@ ss2O@ss2S:R所表示的萤光体母体之粒子表面上形成 由金 属氧化物而成的透明保护膜而成者。4.如申请专 利范围第1或3项所述之萤光体,其中之该金属 氧化物系选自Al@ss2O@ss3, SiO@ss2, TiO@ss2, GeO@ss2 中之一种或二种以上物质者。5.如申请专利范围 第4项所述之萤光体,其中之该金属氧 化物对前述萤光体系添加50-2000ppm而形成前述透明 保 护膜。6.如申请专利范围第1或2项所述之萤光体, 其中之该高导 热系数物质系选自氧化铝、矽(Si)、金(Au)、银(Ag) 、钨 (W)、钼(Mo)中之至少一种物质者。7.如申请专利范 围第6项所述之萤光体,其中之该高导热 系数物质之平均粒径系较该高导热系数物质所添 加的萤光 体之平均粒径为小。8.如申请专利范围第7项所述 之萤光体,其中之该高导热 系数物质系以该高导热系数物质所添加的萤光体 之0.005 -2重量%加入。图示简单说明: 图1为表示于本发明之各实施例,被覆各萤光体之 粒子之 保护膜之附着量(ppm)与各自的初期辉度间之关系 图。 图2为表示使用本发明之各实施例与比较例之习知 各萤光 体之萤光显示管在各自连续点灯1000小时后测定的 辉度, 以初期辉度为100%时之残存辉度之图形。 图3为对以La@ss2O@ss2S为母体之习知萤光体与以Y@ss2O @ ss2S为母体之萤光体适用于各自萤光显示管之情形 时,比 较各萤光体制造后经组合成萤光显示管为止之静 置时间, 与各烛光显示管之相对辉度并予表示的关系图。 图4为以添加于原来萤生体内之高导热系数物质对 同萤光 体之重量百分比(重量%)为横轴,以同物质之添加量 为0之 习知例之辉度为100时之添加量之萤光体之初期相 对辉度 为纵轴之图形。 图5为以添加于原来萤光体内之高导热系数物质对 同萤光 体之重量百分比(重量%)为横轴,以各添加量之萤光 体之 初期辉度为100%时之点灯时间1000小时后之辉度残 存率为
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