DISPOSITIVO SUPERCONDUCTOR CON MICROPUENTE, CON TC ALTA, QUE UTILIZA UNION SNS BORDE A BORDE ESCALONADA.

摘要

SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SUPER CONDUCTOR MICROPUENTE QUE INCLUYE UN SUBSTRATO (26), HECHO DE UN MATERIAL TAL COMO LAAIO SUB 3 QUE TIENE UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO INFERIOR PLANA (40), UNA SUPERFICIE INCLINADA (42) QUE TIENE UNA INCLINACION HACIA ARRIBA DE ENTRE 20 Y 80 IE DEL SUBSTRATO INFERIOR PLANO (40), Y UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO PLANO SUPERIOR (44) PARALELA A LA SUPERFICIE DE SUBSTRATO PLANO INFERIOR Y SEPARADA DE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO INFERIOR POR LA SUPERFICIE INCLINADA. UNA CAPA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR (50) ORIENTADA EN EL SENTIDO DEL EJE C, HECHO DE UN MATERIAL TAL COMO YBA SUB 2 CU SUB 3 O SUB 7-X, SE DEPOSITA DE FORMA EPITOAXIAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO INFERIOR PLANO, Y TIENE UN BORDE EN DIRECCION AL EJE A ADYACENTE A LA INTERSECCION CON LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO INFERIOR CON LA SUPERFICIE INCLINADA. EL BORDE EXPUESTO AL EJE A ESTA INCLINADO DESDE LA INTERSECCION. UNA CAPA DE UN MATERIAL SUPERCONDUCTOR (52) ORIENTADO HACIA EL EJE C SE DEPOSITA DE FORMA EPITOAXIAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO SUPERIOR, Y PRESENTA UN BORDE EXPUESTO AL EJE A ADYACENTE A LA SUPERFICIE INCLINADA. UN HUECO (62) DESCANSA ENTRE LOS DOS BORDES EXPUESTOS AL EJE A. UNA CAPA DE UN MATERIAL NO SUPERCONDUCTOR (60) TAL COMO LA PLATA, DESCANSA EN EL HUECO ENTRE LOS DOS BORDES EXPUESTOS AL EJE A MEDIANTE LO CUAL SE DEFINE UN MICROPUENTE SUPERCONDUCTOR SNS. LAS CAPAS DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR TIENEN UN DISEÑO PREFERIBLEMENTE ESCOGIDO PARA FORMAR UNA JUNTA JOSEPHSON TAL COMO UN DISPOSITIVO DE INTERFERENCIA DE QUANTUM SUPERCONDUCTOR.