| 发明名称 | 溅射靶-用于阴极溅射制造透明导电层 | ||
| 摘要 | 用于使用阴极溅射法制造透明导电薄层的一种溅射靶，由部分还原的氧化铟—氧化锡混合物粉末或部分还原的共沉淀氧化铟—氧化锡粉末制成。这种靶具有特别高的机械强度并且具有氧化物陶瓷的基质，其中以极其均匀分布的方式淀积着小于50μm的In和/或Sn金属相颗粒，并且具有全氧化的氧化铟/氧化锡理论密度值的96％以上的密度。 | ||
| 申请公布号 | CN1110994A | 申请公布日期 | 1995.11.01 |
| 申请号 | CN95102479.5 | 申请日期 | 1995.03.03 |
| 申请人 | 莱博德材料有限公司 | 发明人 | M·施罗特;M·库茨纳;M·魏格特;U·康尼茨卡;B·格曼;S·法尔斯特龙 |
| 分类号 | C23C14/08;C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;叶恺东 |
| 主权项 | 1、用于制造透明、导电薄层的阴极溅射靶，由部分还原的氧化铟-氧化锡粉末混合物或由部分还原的混合沉淀的氧化铟-氧化锡粉末制成，其特征在于，溅射靶具有氧化物陶瓷基质，其中以极其均匀分布的方式淀积着小于50μm的In和/或Sn的金属相颗粒，其密度大于全氧化的氧化铟-/氧化锡的理论密度值的96%。 | ||
| 地址 | 联邦德国哈瑙 | ||