Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes auf welchem eine isolierende Shicht eine gleichmässige Dicke hat.,申请号DE1990622637-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes auf welchem eine isolierende Shicht eine gleichmässige Dicke hat.
摘要
申请公布号	DE69022637(D1)	申请公布日期	1995.11.02
申请号	DE1990622637	申请日期	1990.07.02
申请人	NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	SATO, NATSUKI, C/O NEC CORPORATION, TOKYO, JP
分类号	H01L21/3205;H01L21/3105;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/31	主分类号	H01L21/3205
代理机构		代理人
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