发明名称 PROCEDIMENTO PER LA LAVORAZIONE DI WAFER SOTTILI E CELLE SOLARI DI SILICIO CRISTALLINO
摘要 Le piastrine sottili di semiconduttori (wafer) ed i componenti prodotti con esse, come ad esempio le celle solari di silicio cristallino, sono soggetti ad un maggior pericolo di rottura a causa della fragilità del materiale, e richiedono uno spessore minimo per il wafer onde garantire una manipolazione sicura. Per il miglioramento della manipolazione viene ora proposto di dotare la piastrina di semiconduttore di uno strato protettivo meccanico sull'intera superficie, e di sottoporla soltanto successivamente ad un trattamento formante. (Figura 3).
申请公布号 ITMI950819(A1) 申请公布日期 1995.10.30
申请号 IT1995MI00819 申请日期 1995.04.21
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;SIEMENS SOLAR GMBH 发明人 ENDROES ARTHUR;EISENRITH KARL-HEINZ;MARTINELLI GIULIANO
分类号 C30B33/00;H01L21/02;H01L21/312;H01L31/0216;H01L31/036;H01L31/04;H01L31/18 主分类号 C30B33/00
代理机构 代理人
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