| 主权项 |
1. 一种于细工品使用湿化学蚀刻剂蚀刻期间之蚀 刻程序 之原地化学蚀刻监视之无接触方法,该方法包括以 下步骤 : (a) 提供至少两个经配置于湿化学蚀刻剂中之环形 绕组, 紧邻该细工品但未与其接触,该至少两个环形绕组 ,各具 有一个主轴,经过其个别中空中央部份,其中该至 少两个 环形绕组之一,系包括一个发生器绕组,且其中该 至少两 个环形绕组之另一个,系包括一个侦测器绕组;及 (b) 监视该至少两个环形绕组间之细工品与湿化学 蚀刻剂 之电特性,其中在该电特性上之一项指示改变,系 表示此 蚀刻程序之一项指示条件。2. 根据申请专利范围 第1项之方法,其中电特性之监视, 系包括监视电阻抗上之改变,且再者,其中该指示 改变系 包括阻抗上之一项指示改变。3. 根据申请专利范 围第1项之方法,其中提供该至少两个 环形绕组,系包括提供两个环形绕组。4. 根据申请 专利范围第3项之方法,再者其中该两个环形 绕组系各配置在该细工品之相反两侧上,及再者其 中该两 个环形绕组系互相呈轴向排列。5. 根据申请专利 范围第3项之方法,再者其中该两个环形 绕组系配置于该细工品之同一侧上,且再者其中该 两个环 形绕组系互相呈轴向排列。6. 根据申请专利范围 第3项之方法,再者其中该两个环形 绕组系配置于该细工品之同一侧上,且再者其中该 两个环 形绕组系经配置,以致使该两个环形绕组之个别轴 系互相 平行。7. 根据申请专利范围第6项之方法,其进一 步包括以下步 骤: (c) 提供一种设置,以在该两个环形绕组之间导引 一载流 体积。8. 根据申请专利范围第7项之方法,其中提 供该导引设置 ,系包括在该两个环形绕组之中央中空部份之间提 供一个 导管。9. 根据申请专利范围第8项之方法,其中提 供该导引设置 ,系进一步包括在该两个环形绕组与该导管上,提 供一种 化学惰性介电材料涂层。10. 一种无接触原地化学 蚀刻监视器,其系于细工品使用 湿化学蚀刻剂蚀刻期间,用以提供蚀刻程序之指示 条件之 指标,该监视器包括: (a) 至少两个环形绕组,其中各环形绕组具有一个 主轴, 经过其个别中空中央部份,且再者,其中该至少两 个环形 绕组之一,系包括一个发生器绕组,且其中该至少 两个环 形绕组之另一个,系包括一个侦测器绕组; (b) 用以使该至少两个环形绕组定位在湿化学蚀刻 剂中, 以紧邻该细工品但未与其接触之设置;及 (c) 用以监视该至少两个环形绕组间之细工品与湿 化学蚀 刻剂之电特性之设置,其中在该电特性上之一项指 示改变 ,系表示该蚀刻程序之指示条件。11. 根据申请专 利范围第10项之监视器,其中该至少两个 环形绕组系包括两个环形绕组。12. 根据申请专利 范围第11项之监视器,其中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其各配置在该 细工品 之相反两侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互 相呈轴 向排列。13. 根据申请专利范围第11项之监视器,其 中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其配置在该细 工品之 同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互相呈 轴向排 列。14. 根据申请专利范围第11项之监视器,其中该 定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其配置在该细 工品之 同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系经定位, 以致 使该两个环形绕组之个别轴,系互相平行。15. 根 据申请专利范围第14项之监视器,其进一步包括 (d) 用以在该两个环形绕组之间导引一载流体积之 设置。16. 根据申请专利范围第15项之监视器,其中 该导引设置 系包括一个于该两个环形绕组之中央中空部份之 间连接之 导管。17. 根据申请专利范围第16项之监视器,其中 该导引设置 系进一步包括一种经涂覆在该两个环形绕组与导 管上之化 学惰性介电材料。18. 根据申请专利范围第10项之 监视器,其中该监视设置 系包括一个阻抗监视器,且再者,其中该指示改变 系包括 阻抗上之一项指示改变。19. 根据申请专利范围第 18项之监视器,其中该至少两个 环形绕组系包括两个环形绕组。20. 根据申请专利 范围第19项之监视器,其中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其各配置在该 细工品 之相反两侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互 相呈轴 向排列。21. 根据申请专利范围第19项之监视器,其 中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其配置在该细 工品之 同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互相呈 轴向排 列。22. 根据申请专利范围第19项之监视器,其中该 定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其配置在该细 工品之 同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系经定位, 以致 使该两个环形绕组之个别轴系互相平行。23. 根据 申请专利范围第22项之监视器,其进一步包括 (d) 用以在该两个环形绕组之间导引一载流体积之 设置。24. 根据申请专利范围第23项之监视器,其中 该导引设置 系包括一个于该两个环形绕组之中央中空部份之 间连接之 导管。25. 根据申请专利范围第24项之监视器,其中 该导引设置 系进一步包括一种经涂覆在该两个环形绕组与导 管上之化 学惰性介电材料。26. 根据申请专利范围第10项之 监视器,其进一步包括 (e) 用以在该至少两个环形绕组之间导引一载流体 积之设 置。27. 根据申请专利范围第26项之监视器,其中该 导引设置 系包括一个于该至少两个环形绕组之中央中空部 份之间连 接之导管。28. 根据申请专利范围第27项之监视器, 其中该导引设置 系进一步包括一种经涂覆在该至少两个环形绕组 与该导管 上之化学惰性介电材料。29. 一种在蚀刻站中于细 工品使用湿化学蚀刻剂蚀刻期间 之蚀刻程序之原地控制之无接触方法,该方法包括 以下步 骤: (a) 提供至少两个经配置于湿化学蚀刻剂中之环形 绕组, 紧邻该细工品但未与其接触,该至少两个环形绕组 ,各具 有一个主轴,经过其个别中空中央部份,其中该至 少两个 环形绕组之一,系包括一个发生器绕组,且其中该 至少两 个环形绕组之另一个,系包括一个侦测器绕组;及 (b) 监视该至少两个环形绕组间之细工品与湿化学 蚀刻剂 之电特性,其中在该电特性上之一项指示改变,系 表示此 蚀刻程序之一项指示条件;及 (c) 控制此蚀刻程序,以回应在电特性上该指示改 变之监 视。30. 根据申请专利范围第29项之方法,其中电特 性之监视 ,系包括监视电阻抗上之改变,且再者,其中该指示 改变 系包括阻抗上之一项指示改变。31. 根据申请专利 范围第29项之方法,其中提供该至少两 个环形绕组,系包括提供两个环形绕组。32. 根据 申请专利范围第31项之方法,再者其中该两个环 形绕组系配置在该细工品之相反两侧上,及再者其 中该两 个环形绕组系互相呈轴向排列。33. 根据申请专利 范围第31项之方法,再者其中该两个环 形绕组系配置于该细工品之同一侧上,且再者其中 该两个 环形绕组系互相呈轴向排列。34. 根据申请专利范 围第31项之方法,再者其中该两个环 形绕组系配置于该细工品之同一侧上,且再者其中 该两个 环形绕组系经配置,以致使该两个环形绕组之个别 轴系互 相平行。35. 根据申请专利范围第34项之方法,其进 一步包括以下 步骤: (c) 提供一种设置,以在该两个环形绕组之间导引 一载流 体积。36. 根据申请专利范围第35项之方法,其中提 供该导引设 置,系包括在该两个环形绕组之中央中空部份之间 提供一 个导管。37. 根据申请专利范围第36项之方法,其中 提供该导引设 置,系进一步包括在该两个环形绕组与该导管上, 提供一 种化学惰性介电材料涂层。38. 一种蚀刻站,其具 有于细工品使用湿化学蚀刻剂蚀刻 期间之蚀刻程序之无接触原地控制作用,该蚀刻站 包括: (a) 至少两个环形绕组,其中各环形绕组具有一个 主轴, 经过其个别中空中央部份,且再者,其中该至少两 个环形 绕组之一,系包括一个发生器绕组,且其中该至少 两个环 形绕组之另一个,系包括一个侦测器绕组; (b) 用以使该至少两个环形绕组定位在湿化学蚀刻 剂中, 以紧邻该细工品但未与其接触之设置;及 (c) 用以监视该至少两个环形绕组间之细工品与湿 化学蚀 刻剂之电特性之设置,其中在该电特性上之一项指 示改变 ,系表示该蚀刻程序之指示条件。39. 根据申请专 利范围第38项之蚀刻站,其中该至少两个 环形绕组系包括两个环形绕组。40. 根据申请专利 范围第39项之蚀刻站,其中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其各配置在该 细工品 之相反两侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互 相呈轴 向排列。41. 根据申请专利范围第39项之蚀刻站,其 中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其配置在该细 工品之 同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互相呈 轴向排 列。42. 根据申请专利范围第39项之蚀刻站,其中该 定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其配置在该细 工品之 同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系经定位, 以致 使该两个环形绕组之个别轴,系互相平行。43. 根 据申请专利范围第42项之蚀刻站,其进一步包括 (d) 用以在该两个环形绕组之间导引一载流体积之 设置。44. 根据申请专利范围第43项之蚀刻站,其中 该导引设置 系包括一个于该两个环形绕组之中央中空部份之 间连接之 导管。45. 根据申请专利范围第44项之蚀刻站,其中 该导引设置 系进一步包括一种经涂覆在该两个环形绕组与导 管上之化 学惰性介电材料。46. 根据申请专利范围第38项之 蚀刻站,其中该监视设置 系包括一个阻抗监视器,且再者,其中该指示改变 系包括 阻抗上之一项指示改变。47. 根据申请专利范围第 46项之蚀刻站,其中该至少两个 环形绕组系包括两个环形绕组。48. 根据申请专利 范围第47项之蚀刻站,其中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其各配置在该 细工品 之相反两侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互 相呈轴 向排列。49. 根据申请专利范围第47项之蚀刻站,其 中该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其各配置在该 细工品 之同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系互相 呈轴向 排列。50. 根据申请专利范围第47项之蚀刻站,其中 该定位设置 系进一步将该两个环形绕组定位,使其配置在该细 工品之 同一侧上,且再者,其中该两个环形绕组系经定位, 以致 使该两个环形绕组之个别轴系互相平行。51. 根据 申请专利范围第50项之蚀刻站,其进一步包括 (d)用以在该两个环形绕组之间导引一载流体积之 设置。52. 根据申请专利范围第51项之蚀刻站,其中 该导引设置 系包括一个于该两个环形绕组之中央中空部份之 间连接之 导管。53. 根据申请专利范围第52项之蚀刻站,其中 该导引设置 系进一步包括一种经涂覆在该两个环形绕组与导 管上之化 学惰性介电材料。54. 根据申请专利范围第38项之 蚀刻站,其进一步包括 (d) 用以在该至少两个环形绕组之间导引一载流体 积之设 置。55. 根据申请专利范围第54项之蚀刻站,其中该 导引设置 系包括一个于该至少两个环形绕组之中央中空部 份之间连 接之导管。56. 根据申请专利范围第55项之蚀刻站, 其中该导引设置 系进一步包括一种经涂覆在该至少两个环形绕组 与该导管 上之化学惰性介电材料。图示简单说明: 图1显示一种根据本发明之无接触即时原地蚀刻条 件监视 器; 图2显示使用图1中所示本发明于基材上之薄膜蚀 刻所监视 电特性之图; 图3显示一种根据本发明替代具体实施例之无接触 即时原 地蚀刻条件监视器; 图4显示使用图3中所示本发明于基材上之薄膜蚀 刻所监视 电特性之图; 图5显示一种根据本发明又另一项替代具体实施例 之无接 触即时原地蚀刻条件监视器; 图6显示使用图5中所示本发明于基材上之薄膜蚀 刻所监视 电特性之图;及 |
