| 主权项 |
1. 一种NPN型场效电晶体之轻微掺杂汲极(LightlyDopedDrain;LDD)的制造方法,系包含:在P型矽半导体基板上选择性地形成场氧化物(FieldOxide),作为隔离电性元件之用;在所述P型矽半导体基板与场氧化物表面形成一层二氧化矽层(Silicon Dixoide);在所述场氧化物与二氧化矽层之表面形成一层复晶矽层(Polysilicon);制定所述复晶矽层的图案,形成复晶矽平台(Pedestals),所述【复晶矽平台】的位置介于所述场氧化物之间的中心;形成一层未经固化处理(Uncured)的自旋涂布式玻璃膜(Spin-On-Glass;SOG),所述未经固化处理的自旋涂布式玻璃膜将分布于所述复晶矽平台的侧面(Sidewall)、与所述复晶矽平台的上表面(Top Surface)、所述场氧化物与二氧化矽层之表面(Surface);进行第一次加热处理(First Heat Treatment);进行N型离子布植(Ion Implantation);进行第二次加热处理(Second Heat Treatment)。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述复晶矽层的厚度介于1000到3000埃之间。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述二氧化矽层的厚度介于50到200埃之间。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述【第一次加热处理】,系指低温烘烤(Baking)和高温固化(Curing);所述低温烘烤之烘烤温度介于100℃到300℃之间,烘烤时间介于0.5分钟到2分钟之间。所述高温固化之固化温度介于400℃到425℃之间,固化时间介于30分钟到60分钟之间。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述【N型离子布植】,其离子系指磷(p31)或砷(As75)等N型离子。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述【N型离子布植】,其离子布植剂量介于1E15到3E16原子/平方公分之间,离子布植能量则介于40到100kev之间。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述【第二次加热处理】,系于钝气或真空环境中进行,加热温度介于800℃到900℃之间,加热时间介于10分钟到50分钟之间。8. 如申请专利范围第1项之方法,在进行所述【N型离子布値】之前,可以利用电浆蚀刻技术垂直单向性地(Anisotropically)对所述自旋涂布式玻璃膜进行回蚀刻(Etchback),以去除一部份的所述复晶矽平台的上表面(Top Surface)、所述场氧化物与所述二氧化矽层之表面(Surface)的自旋涂布式玻璃膜。图示简单说明:图一是以传统方法形成轻微掺杂汲极场效电晶体(LightlyDoped Drain FET;LDD FET)之制程剖面图;图二是形成场氧化层、闸极氧化层与闸电极后的制程剖面图;图三是形成一层未经固化处理(Uncured)的自旋涂布式玻璃膜(Spin-On-Glass;SOG)后的制程剖面图;图四是进行N型离子布植(Ion Implantation)与第一次加热处理(First Heat Treatment)后的制程剖面图;图五是进行第二次加热处理(Second Heat Treatment)后 |
