| 主权项 |
1.一种抑制洗浴设备中微生物生长之方法,其包含在水中加入1到1000ppm下式I的杂环盐类:其中R与R@su1分别为C@ss8-@ss2@ss2@su-烷基;A与B分别为咪唑 或 唑 环;X系C@ss6@ss-@ss1@ss6-伸烷基;n系1至6;且Y系一或多个提供(n+1)负价以产生中性分子之阴离子。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中R与R@su1相同。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中R与R@su1系C@ss8-@ss1@ss4烷基。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中X系C@ss7-@ss1@ss3伸烷基。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中n为1或2。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中杂环盐类具下式II结构:其中R、R@su1.X、Y与n如申请专利范围第1项之定义;且R@su2到R@su7是个别系氢或C@ss1@ss-@ss4@su-烷基。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中R@su3,R@su4,R@su6与R@su7都是氢。8.根据申请专利范围第6项之方法,其中R@su2及R@su5系C@ss1@ss-@ss4@su-烷基。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中杂环盐类具下式III之结构其中R、R@su1.X、Y及n如申请专利范围第1项之定义;且R@su8到R@su1@su3分别为氢或C@ss1@ss-@ss4@su-烷基。10.根据申请专利范围第6项之方法,其中杂环盐类选自:二溴化十二烷基-双-(1-癸基-2-甲基咪唑 );二溴化十一烷基-双-(1-癸基-2-甲基咪唑 );二溴化癸基-双-(1-十一烷基-2-甲基咪唑 );二溴化壬基-双-(1-十一烷基-2-甲基咪唑 );二溴化壬基-双-(1-癸基-2-甲基咪唑 );二溴化十二烷基-双-(1-壬基-2-甲基咪唑 );二溴化十二烷基-双-(1-十一烷基-2-甲基咪唑 );二溴化十一烷基-双-(-十一烷基-2-甲基咪唑 );二溴化十二烷基-双-(1-癸基-2-乙基咪唑 );及二溴化十二烷基-双-(1-癸基-2,4,5-三甲基咪唑 )。11.一种具下式之化合物其中R及R@su1各为C@ss6-@ss1@ss6@su-烷基;X为C@ss6@ss-@ss1@ss8@su-伸烷基;R@su2至R@su7各为氢或C@ss1@ss-@ss4@su-烷基,但R@su2至R@su4及R@su5及R@su7中至少一者为C@ss1@ss-@ss4@su-烷基;Y为一或多个提供(n+1)负价以产生中性分子之阴离子;且二溴化十二烷基-双-(1-十二烷基-2-甲基-咪唑 )除外。12.根据申请专利范围第11项之化合物,其中R@su3,R@su4,R@su6及R@su7各为氢。13.根据申请专利范围第11或12项之化合物,其中R@su2及R@su5均为甲基。14.根据申请专利范围第11项之化合物,其为其中Y如申请专利范围第11项之定义。15.一种具下式VIII之化合物其中R及R@su1各为C@ss8@ss-@ss2@ss2@su-烷基;R@su2至R@su7各为氢或C@ss1@ss-@ss4@su-烷基;X为C@ss6@ss-@ss1@ss6@su-伸烷基;n为2或3;且Y为一或多个提供(n+1)负价以产生中性分子之阴离子。16.一种制备具下式之根据申请专利范围第15项化合物之方法其中R至R@su7与X如申请专利范围第15项之定义,且Hal是氯、溴、或碘;其包含将式IX之化合物与过量Hal-X-Hal之二卤化烷反应而形成式X之化合物:并且将此化合物与过量之式XI之咪唑反应17.一种式X之化合物其中R@su5到R@su7及X系如申请专利范围第15项之定义;且Hal是氯、溴、或碘。18.根据申请专利范围第11至第15项中任一项之化合物,系用于游泳池、温泉、漩涡式家用浴池(jacuzzi)、漩涡 |
