| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un détecteur de défaut associé à un composant de protection semiconducteur à quatre couches dont l'une des couches médianes correspond à un substrat semiconducteur (S) de faible niveau de dopage et d'un premier type de conductivité, dans lequel le composant comprend dans ce substrat, outre les diverses régions constituantes de sa fonction de protection, au moins une région supplémentaire (P3) du deuxième type de conductivité reliée à une borne de test.</P> |
