Verfahren zur Abscheidung einer dünnen Supraleiterschicht.,申请号DE1989621253T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Abscheidung einer dünnen Supraleiterschicht.
摘要
申请公布号	DE68921253(T2)	申请公布日期	1995.10.19
申请号	DE1989621253T	申请日期	1989.06.19
申请人	SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD., OSAKA, JP	发明人	HIGAKI, KENJIRO C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI HYOGO, JP;HARADA, KEIZO C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI HYOGO, JP;FUJIMORI, NAOJI C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI HYOGO, JP;ITOZAKI, HIDEO C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI HYOGO, JP;YAZU, SHUJI C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI HYOGO, JP
分类号	C01G1/00;C01G15/00;C04B41/87;C23C14/08;H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24;(IPC1-7):H01L39/24	主分类号	C01G1/00
代理机构		代理人
主权项
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