| 发明名称 |
Semiconductor memory having an increased cell capacitance in a restricted cell area. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0376685(B1) |
申请公布日期 |
1995.10.18 |
| 申请号 |
EP19890313598 |
申请日期 |
1989.12.27 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
NAKAMURA, KUNIO C/O NEC CORPORATION |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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